Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 76А; Idm: 305А; 188Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: NTB6410ANT4G
103,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: NTB6410ANT4G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 13мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 188Вт
Струм стока: 76А
Струм стоку в імпульсі: 305А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 12; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 12; THT; straight

13,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
22,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,5пФ
Недоступний
Резистор: metal film; 200кОм; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9мм; осьові; L: 9мм
Резистор: metal film; 200кОм; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9мм; осьові; L: 9мм

3,09 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 18,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 18,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Фільтр: SAW; f: 2310МГц; 3x3мм; -40÷85°C; Смуга: 10МГц
Фільтр: SAW; f: 2310МГц; 3x3мм; -40÷85°C; Смуга: 10МГц

136,21 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
3x3мм
Смуга передачі:
10МГц
Тип фільтра:
SAW
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206

16,73 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,47мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK