1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 12А; Idm: 48А; 298Вт; TO247-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 12А; Idm: 48А; 298Вт; TO247-3
Немає в наявності
Код товару: APT10090BFLLG
858,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10090BFLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 71нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,95Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 298Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",з обох сторін
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",з обох сторін

6962,76 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP67
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; 15А; 4мм; 32мОм; -55÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; 15А; 4мм; 32мОм; -55÷125°C

25,98 грн

Висота:
4мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - мм:
3232
Недоступний
Резистор: thin film; 15,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 15,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Провід; MACHFLEX 350SY; 12G1,5мм2; ПВХ; прозорий; 300В,500В; 100м
Провід; MACHFLEX 350SY; 12G1,5мм2; ПВХ; прозорий; 300В,500В; 100м

217,94 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з оцинкованих сталевих проводів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 1,37кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,37кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,37кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C

0,14 грн

Допуск:
±2%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 107Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 107Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD