Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1А; 50Вт; TO252; 750нс

Немає в наявності
Код товару: IXTY1N100P
103,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTY1N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 750нс
Діод: випрямний Шотткі; SOD123HE; SMD; 200В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD123HE; SMD; 200В; 1А; ролик,cтрічка

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SOD123HE
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 8; штекерний; промислова; 48В; прямий; IP67
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 8; штекерний; промислова; 48В; прямий; IP67

2662,83 грн

Alias:
IE-PS-M12X-P-FH
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
IDC
Датчик: індуктивний; OUT: аналоговий 4-20мА; 4÷8мм; 12÷24ВDC; M18
Датчик: індуктивний; OUT: аналоговий 4-20мА; 4÷8мм; 12÷24ВDC; M18

7232,65 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
4...8мм
Довжина відводів:
10м
Загальна довжина:
41мм
Недоступний
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 16кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 16кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

1,75 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 69; THT; angled; 3x23
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 69; THT; angled; 3x23

97,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 6,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB
Резистор: thin film; 6,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB

12,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,1нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD