Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 16А; Idm: 64А; 85Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: RCJ160N20TL
83,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RCJ160N20TL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 410мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 64А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 5Аx2; TO220FPAB; туба; Ufmax: 0,975В
Діод: випрямний; THT; 200В; 5Аx2; TO220FPAB; туба; Ufmax: 0,975В

47,52 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO220FPAB
Недоступний
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: Oпераційний підсилювач; 2,5МГц; Ch: 1; SO8; 10мкВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 2,5МГц; Ch: 1; SO8; 10мкВ; туба

178,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,3нА
Недоступний
Симістор; 800В; 25А; Igt: 35мА; TO220AB; туба
Симістор; 800В; 25А; Igt: 35мА; TO220AB; туба

233,15 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high commutation
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Недоступний
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 60ВDC; 2,5А; 3PST
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 60ВDC; 2,5А; 3PST

1149,27 грн

Виводи:
конектори
Діелектрична міцність:
2,5кВ AC
Застосування вимикачів:
для захисту побутових приладів; для захисту промислових пристроїв
Кількість полюсів:
3
Недоступний
Оптотріак; 4,42кВ; Uвих: 600В; SMD6; Ch: 1; VO3052
Оптотріак; 4,42кВ; Uвих: 600В; SMD6; Ch: 1; VO3052

62,72 грн

Вид виходу:
без схеми перемикання у нулі; симистор
Вихідна напруга:
600В
Відповідність стандарту:
UL
Зворотна напруга макс.:
6В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK