Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 170А; 1150Вт; TO264

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 170А; 1150Вт; TO264
Brand: IXYS
SKU: IXFK170N20T
Price: 761.53 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXFK170N20T

761,53 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IXFK170N20T

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Властивості напівпровідникових елементів:

thrench gate power mosfet

Заряд затвора:

265нКл

Корпус:

TO264

Монтаж:

THT

Напруга сток-джерело:

200В

Опір в стані провідності:

11мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,15кВт

Струм стока:

170А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
269нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
25,3нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220AB

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247AC

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD