Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 56А; 380Вт; TO220AB

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 56А; 380Вт; TO220AB
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IRFB260NPBF
Price: 98.20 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IRFB260NPBF

98,20 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IRFB260NPBF

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

150нКл

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

200В

Опір в стані провідності:

40мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

380Вт

Струм стока:

56А

Технологія:

HEXFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
46нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; Idm: 72А; 20,2Вт; TO220FP

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
22нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 60А; Idm: 264А; 313Вт

855,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Використання:
автомобільна галузь

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; Idm: 44А; 25Вт; TO220FP

136,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

2559,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Використання:
автомобільна галузь

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,1А; 39Вт; IPAK

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
16,7нКл

Корпус:
IPAK

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт; TO220AB

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
78нКл

Корпус:
TO220AB