1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1318А; 215Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1318А; 215Вт
Немає в наявності
Код товару: PSMN1R1-25YLC,115
138,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN1R1-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 0,95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 215Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 1318А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100ВDC; X7R; 3,2x2,5x2мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100ВDC; X7R; 3,2x2,5x2мм

48,15 грн

Діелектрик:
X7R
Ємність:
0,1мкФ
Робоча напруга:
100В DC
Розміри корпусу:
3,2x2,5x2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 51нГн; 210мА; R: 1,08Ом; ±5%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 51нГн; 210мА; R: 1,08Ом; ±5%; LQW; 180мм

2,74 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
51нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0805

2,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; CTR@If: 500%@10mA
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; CTR@If: 500%@10mA

44,98 грн

CTR@If:
500%@10mA
Вид виходу:
Darlington
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
IC: мікроконтролер PIC; 3кБ; 20МГц; CMOS; 4,5÷5,5ВDC; THT; DIP18
IC: мікроконтролер PIC; 3кБ; 20МГц; CMOS; 4,5÷5,5ВDC; THT; DIP18

180,56 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
CMOS
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 3,3нФ; 200В; X7R; ±10%; 0603
Конденсатор: керамічний; 3,3нФ; 200В; X7R; ±10%; 0603

0,61 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3нФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23