Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 120А; 1130Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: IXFK120N30P3
735,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK120N30P3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,13кВт
Струм стока: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,65кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,65кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Варистор: блоковий; 575ВAC; 730ВDC; 910В; 46,8x60,3x23мм; 2200пФ
Варистор: блоковий; 575ВAC; 730ВDC; 910В; 46,8x60,3x23мм; 2200пФ

2827,55 грн

Енергія E10/1000мкс:
770Дж
Ємність:
2,2нФ
Монтаж:
пригвинчуваний
Напруга варистора:
910В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Свердло; для металу; Ø: 4мм; L: 75мм; 2шт.
Свердло; для металу; Ø: 4мм; L: 75мм; 2шт.

261,02 грн

Використання інструментів:
кислотостійка сталь; легована сталь; нержавіюча сталь; сталь; чавун
Відповідність стандарту:
DIN 338 B
Діаметр свердла:
4мм
Довжина:
75мм
Недоступний
Резистор: thick film; 78,7Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 78,7Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 60Вт; 120÷370ВDC; 90÷264ВAC
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 60Вт; 120÷370ВDC; 90÷264ВAC

1462,24 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Вихідна напруга:
48В; 48В DC
Вихідний струм:
1,25А
Зовнішні розміри:
50,8x50,8x34,2мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1818,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3