Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 44А; Idm: 176А; 329Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: APT30M75BLLG
697,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT30M75BLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 329Вт
Струм стока: 44А
Струм стоку в імпульсі: 176А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А

45,62 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість ліній:
17
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 200В; X7R; ±20%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 200В; X7R; ±20%; SMD; 1206; 180мм

1,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Лабораторний роз’єм: банан 2мм; вилка; синій; позолочений; 0,5мм2
Лабораторний роз’єм: банан 2мм; вилка; синій; позолочений; 0,5мм2

117,84 грн

Відповідність стандарту:
E-DIN 42802-2
Діаметр проводу макс.:
2,1мм
Довжина:
39,7мм
Колір:
синій
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 47мкФ; SMD; 16ВDC; V; 2917; ±20%
Конденсатор: танталово-полімерний; 47мкФ; SMD; 16ВDC; V; 2917; ±20%

46,25 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Корпус:
V
Корпус - дюйм:
2917
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 12Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5,1ВDC; Iвих: 2400мА
Перетворювач: DC/DC; 12Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5,1ВDC; Iвих: 2400мА

1479,98 грн

Вихідна напруга:
5,1В DC
Вихідний струм:
2,4А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Кристал; 25МГц; SMD; 2x1,6x0,5мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm; -20÷70°C
Кристал; 25МГц; SMD; 2x1,6x0,5мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm; -20÷70°C

45,62 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1818,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3