Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

Немає в наявності
Код товару: BSC016N03LSGATMA1
78,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSC016N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 100А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201

2,53 грн

Alias:
KGM03CR51A225MH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Недоступний
Кабель; Жили: 30; 600мм; IDC,вільні проводи
Кабель; Жили: 30; 600мм; IDC,вільні проводи

1228,46 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Конструкція кабелю/переходу:
IDC; вільні проводи
Супутні товари:
IS2-2IDC-S-30; IS2-2IDC-W-30; IS2-IDC-S-30; IS2-IDC-S-30-LED-U1; IS2-IDC-W-30
Тип аксесуарів для автоматизація:
кабель
Амортизатор; 7,8÷8,8мм; 2B; чорний
Амортизатор; 7,8÷8,8мм; 2B; чорний

439,69 грн

Застосування - серія/виробник:
2B
Зовнішній діаметр проводу:
7,8...8,8мм
Колір:
чорний
Тип аксесуарів для роз’ємів:
амортизатор
Недоступний
Резистор: thin film; 12,4Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 12,4Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
IC: цифровий; 4 to 16 line,декодер,защілка; IN: 4; CMOS; SMD; SO24
IC: цифровий; 4 to 16 line,декодер,защілка; IN: 4; CMOS; SMD; SO24

60,19 грн

Вид об'єднаної схеми:
4 to 16 line; декодер; защілка
Корпус:
SO24
Монтаж:
SMD
Сімейство:
CD4000
Недоступний
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC

17,36 грн

Допуск:
±15%
Ємність:
10нФ
Робоча напруга:
11В
Робоча температура:
-55...150°C
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S