Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8

Немає в наявності
Код товару: BSC0901NSATMA1
20,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: BSC0901NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 69Вт
Струм стока: 100А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 20мм; DP11
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 20мм; DP11

143,18 грн

Властивості енкодерів:
з кнопкою
Глибина зрізу:
1,5мм
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
20мм
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 148; vertical; 1mm; thermoplastic
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 148; vertical; 1mm; thermoplastic

330,08 грн

Connector family:
data
Висота після з'єднання:
12мм
Кількість пін:
148
Матеріал корпусу:
термопласт
Діод: TVS; 0,6кВт; 33,3÷38,3В; 12,4А; односпрямована; SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 33,3÷38,3В; 12,4А; односпрямована; SMB

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMB
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 1.5A

440,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Захисна кришка; IP67; 820,870
Захисна кришка; IP67; 820,870

227,45 грн

Застосування - серія/виробник:
820; 870
Клас герметичності:
IP67
Тип аксесуарів для роз’ємів:
захисна кришка
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 83мА; 83мА; PCB; IP00; VB
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 83мА; 83мА; PCB; IP00; VB

287,00 грн

Відповідність стандарту:
EN 61558-2-6; UL 5085-1
Вторинна напруга 1:
12В
Вторинна напруга 2:
12В
Зовнішні розміри:
27,8x32,8x27,4мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD