Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 13А; Idm: 80А; 1,4Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN3009SFG-7
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3009SFG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 42нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 82кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%; 200В
Резистор: metal film; 82кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%; 200В

12,29 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 6,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 6,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм

1,46 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 16,2Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 16,2Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
16,2Ом
Резистор: thin film; 39,2кОм; 2,02x1,28x0,45мм
Резистор: thin film; 39,2кОм; 2,02x1,28x0,45мм

13,68 грн

Опір:
39,2кОм
Розміри корпусу:
2,02x1,28x0,45мм
Тип резистора:
thin film
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; прямий; 30В; 1,5А; TPU; IP67; 4м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; прямий; 30В; 1,5А; TPU; IP67; 4м

3432,59 грн

Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD