Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160мА; Idm: 0,6А; 350мВт

Немає в наявності
Код товару: DMN31D5UDJ-7
3,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN31D5UDJ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,38нКл
Корпус: SOT963
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,16А
Струм стоку в імпульсі: 0,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: гибридний; ±20%; 16ВDC; SMD; 270мкФ; -55÷125°C; Ø: 8мм
Конденсатор: гибридний; ±20%; 16ВDC; SMD; 270мкФ; -55÷125°C; Ø: 8мм

19,01 грн

Висота:
10мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
270мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 255Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 255Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; з важелем (з роликом)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; з важелем (з роликом)

0,00 грн

Виводи:
проводи
Властивості перемикачів:
з важелем (з роликом)
Довжина важеля:
28,7мм
Довжина відводів:
0,5м
Недоступний
Резистор: thick film; 402кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 402кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
402кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт

338,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
26,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А

11160,68 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
65В
Струм стока:
6А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC74; TSOP6