Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3

Немає в наявності
Код товару: RSR025N03HZGTL
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RSR025N03HZGTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,9нКл
Корпус: TSMT3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,118Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 2,5А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 6кВDC; 6кВAC; 16А; Дл: 0,25м
Вимірювальний провід: одинарний; 6кВDC; 6кВAC; 16А; Дл: 0,25м

851,50 грн

Довжина проводу:
0,25м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
синій
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 250V

289,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED

3,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 4,9нГн; 1200мА; R: 0,081Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 4,9нГн; 1200мА; R: 0,081Ом; LQW; 180мм

3,93 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
4,9нГн
Корпус - дюйм:
0603
Ключ: комбінований; двосторонній; 15мм; L: 190мм
Ключ: комбінований; двосторонній; 15мм; L: 190мм

534,72 грн

Вид ключа:
двосторонній
Відповідність стандарту:
DIN 3113
Властивості ключів:
кільцева голівка вигнута на 15°
Довжина:
190мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 160пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 160пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 68Ом; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 68Ом; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

2,51 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
68Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
40нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 115мА; Idm: 0,8А; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 115мА; Idm: 0,8А; SOT23-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; 350мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; 1,8Вт; SOT223

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В