Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,1Вт; TO252/DPAK

Немає в наявності
Код товару: DMTH3002LK3-13
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMTH3002LK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: TO252/DPAK
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 1.5A

717,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 2,87МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 2,87МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

10,96 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 4кБSRAM,32кБFLASH; WLCSP20; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 4кБSRAM,32кБFLASH; WLCSP20; 1,71÷3,6ВDC

63,99 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
GPIO; I2C; ISP; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
17
Кількість перетворювачів A/D 12бит:
12
Недоступний
Резистор: thick film; 2,26Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,26Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2000мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2000мА

2960,60 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

47,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23