Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,75А; Idm: 40А; 2,5Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: DMN3030LSS-13
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3030LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: 6,75А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; RK73B; 200В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; RK73B; 200В

1,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Захисний пакет; ESD; L: 610мм; W: 254мм; Thk: 76мкм;
Захисний пакет; ESD; L: 610мм; W: 254мм; Thk: 76мкм;

24,14 грн

Відповідність стандарту:
IEC 61340-5-1
Довжина:
0,61м
Матеріал:
металізована плівка
Модель:
ESD
Резистор: thick film; 3,57кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 3,57кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

2,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 3A; 150V

622,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
7мм
Довжина відводів:
14,9мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7T; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7T; ±20%; SMD; 0603

1,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 3,9кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 3,9кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 5,5x5,3x3мм; 2,3А; H: 3мм
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 5,5x5,3x3мм; 2,3А; H: 3мм

41,81 грн

Висота:
3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3