Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; Idm: 50А; 1,3Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN3021LFDF-7
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3021LFDF-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: U-DFN2020-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 20мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 9,4А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 0.8N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 0.8N; plug-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,4мм
Довжина:
36мм
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 0,5мм2; ПВХ; червоний
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 0,5мм2; ПВХ; червоний

26,61 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Роз’єм: круглі; для проводу; 16AWG; Модель: неекранований
Роз’єм: круглі; для проводу; 16AWG; Модель: неекранований

7714,15 грн

Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
неекранований
Робоча температура:
-55...125°C
Розмір проводу:
16AWG
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 3N; plug-in; L: 32mm
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 3N; plug-in; L: 32mm

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
2,5мм
Довжина:
32мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

0,00 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Корпус - дюйм:
1210
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 3А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 3А; Полюси: 1

1546,50 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERA3AED
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERA3AED

1,96 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK