Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 0,3А; 1,1Вт; SOT89

Немає в наявності
Код товару: CPC3909CTR
89,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CPC3909CTR
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT89
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±15В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: 0,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 4кБ; 32МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 4кБ; 32МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD; PIC16

91,87 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
16
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10000пФ; 10В; X6S; ±20%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10000пФ; 10В; X6S; ±20%; SMD; 01005

10,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,8пФ
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; DIP6

20,27 грн

CTR@If:
63-125%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP6
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3