Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 160А; 167Вт; TO263-7

Немає в наявності
Код товару: IPB160N04S4H1ATMA1
63,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 137нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 167Вт
Струм стока: 160А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 3кВ; Uce: 80В; SOIC8
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 3кВ; Uce: 80В; SOIC8

72,23 грн

Вид виходу:
транзисторний
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOIC8
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100В; X7T; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100В; X7T; ±10%; SMD; 0603

4,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 430В; 2,5кА; -40÷85°C; 270пФ
Варистор: металооксидний; THT; 430В; 2,5кА; -40÷85°C; 270пФ

0,00 грн

Енергія 2 мс:
63Дж
Енергія E10/1000мкс:
63Дж
Ємність:
270пФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0402; 125мВт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0402; 125мВт; ±1%; CRGP

0,78 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Дисплей: TFT; 2,8"; 240x320; Підсв: LED; Вим: 50x69,2x3,7мм; 2,8ВDC
Дисплей: TFT; 2,8"; 240x320; Підсв: LED; Вим: 50x69,2x3,7мм; 2,8ВDC

978,84 грн

Cенсорна панель:
опору
Вид дисплея:
матриця TN
Вид контролера:
ILI9341V
Властивості дисплеїв:
безбликове скло
10МГц; SMD; 2x0,95x2,5мм; 15пФ; ±50ppm; Вим: 2x0,95x2,5мм; -40÷85°C
10МГц; SMD; 2x0,95x2,5мм; 15пФ; ±50ppm; Вим: 2x0,95x2,5мм; -40÷85°C

47,52 грн

Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
2x0,95x2,5мм
Пінцет: загнута; 160мм; універсальний; Леза: зігнуті
Пінцет: загнута; 160мм; універсальний; Леза: зігнуті

606,31 грн

Використання інструментів:
універсальний
Довжина пінцета:
160мм
Тип пінцета:
загнута
Форма лез:
зігнуті
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 215А; 2,9Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 215А; 2,9Вт; TO252

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
30,1нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл