Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 3,7А; Idm: 25А; 1,4Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMN4035L-7
26,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN4035L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 12,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 52мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: 3,7А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
1,3Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: зенера; 410мВт; 3В; SMD; SOD123; одиночний діод
Діод: зенера; 410мВт; 3В; SMD; SOD123; одиночний діод

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3В
Недоступний
Резистор: thin film; 72,3Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 72,3Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Резистор: thin film; 13,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 13,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

50,68 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 19А; Дл: 1,5м; синій; ПВХ
Вимірювальний провід: одинарний; 19А; Дл: 1,5м; синій; ПВХ

736,19 грн

Відповідність стандарту:
CAT II 600V; EN 61010
Довжина проводу:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Колір:
синій
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,19 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3