1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 34А; Idm: 48А; 25Вт; HSOP8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 34А; Idm: 48А; 25Вт; HSOP8
Немає в наявності
Код товару: RS1G120MNTB
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RS1G120MNTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,4нКл
Корпус: HSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 20,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 34А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 5м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 5м; вилка; 30ВDC

1848,71 грн

Довжина кабелю:
5м
Індикація:
LED
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷500В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷500В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц

2738,85 грн

Вимір:
напруги AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-2; EN 61000-6-4; EN 61010-1
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Резистор: thick film; 2кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 2кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; 100ppm/°C

0,63 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 820мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 820мкФ; 25ВDC; ±20%

12,92 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Провід: для передачі даних; chainflex® CF240.PUR; 14x0,25мм2
Провід: для передачі даних; chainflex® CF240.PUR; 14x0,25мм2

695,64 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Роз’єм: круглі; гніздо; промислова; позолочений; затискання
Роз’єм: круглі; гніздо; промислова; позолочений; затискання

280,66 грн

Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
затискання
Покриття контакту:
позолочений
Роз’єм:
гніздо
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD