Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 35А; Idm: 200А; 37,5Вт; QFN3X3

Немає в наявності
Код товару: DI048N04PT
19,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI048N04PT
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 48,5нКл
Корпус: QFN3X3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 37,5Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 51мОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 51мОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; -55÷155°C

4,24 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Роз’єм: круглі; вилка; розмір 12; 02; гніздовий; промислова; PIN: 2
Роз’єм: круглі; вилка; розмір 12; 02; гніздовий; промислова; PIN: 2

340,22 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Зовнішній діаметр проводу:
3...6мм
Кількість пін:
2
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; гніздовий; PL; 10А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; гніздовий; PL; 10А

126,08 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
самофіксуючий затиск
Кількість пін:
8
Реактор: феритовий; SMD; 1мГн; ±10%; Зовн.розм: 4,5x3,6мм; H: 2,6мм
Реактор: феритовий; SMD; 1мГн; ±10%; Зовн.розм: 4,5x3,6мм; H: 2,6мм

3,74 грн

Високосортність:
40
Висота:
2,6мм
Допуск:
±10%
Зовнішні розміри:
4,5x3,6мм
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 6x2x24AWG; екранований,фольга Al-PET-Al
Провід; Xtra Guard® 1; 6x2x24AWG; екранований,фольга Al-PET-Al

375921,65 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
екранований; фольга Al-PET-Al
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; R: 177мОм; ±20%; 8,4x6,8x3,2мм; 2,4А
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; R: 177мОм; ±20%; 8,4x6,8x3,2мм; 2,4А

47,52 грн

Висота:
3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC; Uупр: 5ВDC; Iупр: 3А; 500мА; GU
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC; Uупр: 5ВDC; Iупр: 3А; 500мА; GU

203,37 грн

Зовнішні розміри:
4,4x4,3x2,1мм
Конфігурація контактів:
SPST-NC
Корпус:
SOP4
Модель реле:
1-фазний; PhotoMOS
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD