Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 362А; Idm: 900А; 90Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NVMFS5C406NLT1G
292,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C406NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 149нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 90Вт
Струм стока: 362А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,74Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,74Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,16 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47нФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 470Ом; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 470Ом; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

2,12 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
470Ом
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 1,7÷1,95В; SOIC8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 1,7÷1,95В; SOIC8; -40÷85°C

100,10 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
256кб SRAM
Connector: DIN 41612; plug; data; PIN: 96; straight; Press-Fit,THT
Connector: DIN 41612; plug; data; PIN: 96; straight; Press-Fit,THT

544,22 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
Press-Fit; THT
Кількість пін:
96
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263