Транзистор: N-MOSFET; польовий; 450В; 0,315А; Idm: 2А; 3,1Вт

Немає в наявності
Код товару: STQ1NC45R-AP
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STQ1NC45R-AP
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: Ammo Pack
Заряд затвора: 7нКл
Корпус: TO92 Formed
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 450В
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 0,315А
Струм стоку в імпульсі: 2А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 408Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 53ВDC; Iвих: 8,5А
Перетворювач: DC/DC; 408Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 53ВDC; Iвих: 8,5А

5751,40 грн

Вихідна напруга:
53В DC
Вихідний струм:
8,5А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Зовнішні розміри:
58,42x35,56x12,7мм
Недоступний
Резистор: thick film; 28,7Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 28,7Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: феритовий; 1,5мГн; 810мА; R: 1300мОм; ±10%
Реактор: феритовий; 1,5мГн; 810мА; R: 1300мОм; ±10%

71,59 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
1,5мГн
Опір:
1,3Ом
Робочий струм:
0,81А
Конденсатор: керамічний; 1,5пФ; 25В; C0G (NP0); SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; 1,5пФ; 25В; C0G (NP0); SMD; 01005

0,39 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,5пФ
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 301Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 301Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реактор: феритовий; SMD; 3,3мкГн; 3,37А; R: 37мОм; ±30%; VLCF
Реактор: феритовий; SMD; 3,3мкГн; 3,37А; R: 37мОм; ±30%; VLCF

21,03 грн

Допуск:
±30%
Індуктивність:
3,3мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
37мОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1%; SMD

1,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT