Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,1А; 119Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: IPD50R280CEAUMA1
25,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD50R280CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 32,6нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 119Вт
Струм стока: 18,1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: провід-плата; вилка; гніздовий; Micro-Fit 3.0; PIN: 4; 3мм
Роз’єм: провід-плата; вилка; гніздовий; Micro-Fit 3.0; PIN: 4; 3мм

21,54 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
4
Клас горючості:
UL94V-2
Матеріал корпусу:
поліамід
Вимикач максимального струму; 415ВAC; Iном: 2А; Полюси: 3; Харкт: Z
Вимикач максимального струму; 415ВAC; Iном: 2А; Полюси: 3; Харкт: Z

9469,09 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
25кА
Відповідність стандарту:
CSA 22.2 No. 235; IEC EN 60947-2; UL 1077
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість полюсів:
3
Недоступний
Резистор: thin film; 23,2Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 23,2Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±10%; WG73; 200В
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±10%; WG73; 200В

2,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
0612
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1478,08 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thin film; 365Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 365Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,54 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8