Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; 540Вт; TO268; 500нс

Немає в наявності
Код товару: IXTT40N50L2
860,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT40N50L2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: linear power mosfet
Заряд затвора: 0,32мкКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,17Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 540Вт
Струм стока: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 0,5мкс
Недоступний
Резистор: metal film; 252Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 252Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 22В; 19,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; TPSMB
Діод: TVS; 600Вт; 22В; 19,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; TPSMB

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
18,8В
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD4

22,17 грн

CTR@If:
100-200%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Відповідність стандарту:
UL; VDE
Зворотна напруга макс.:
6В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,6пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 50; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 50; SMT; straight

166,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Connector: wire-board; plug; male; data; XA; Inom: 3A; 250V; PIN: 12
Connector: wire-board; plug; male; data; XA; Inom: 3A; 250V; PIN: 12

15,40 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
12
Недоступний
Резистор: thick film; 3,57кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,57кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD