Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,9А; Idm: 46А; 165Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: FDB12N50TM
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: FDB12N50TM
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,65Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 165Вт
Струм стока: 6,9А
Струм стоку в імпульсі: 46А
Технологія: DMOS; UniFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 9ВDC; DIP8; THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 9ВDC; DIP8; THT

214,14 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
111,1мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Зовнішні розміри:
12,7x10,16x6,85мм
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 1.27mm; nomex
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 1.27mm; nomex

77,29 грн

Connector family:
data
Виводи:
прямі
Довжина:
25,4мм
Кількість ліній:
6
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,16 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
220пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Дисплей: TFT; 2,4"; 240x320; 14кБFLASH,14кБRAM; 304кд/м2; FFC/FPC
Дисплей: TFT; 2,4"; 240x320; 14кБFLASH,14кБRAM; 304кд/м2; FFC/FPC

1932,34 грн

Cенсорна панель:
опору
Вид дисплея:
графічний
Властивості дисплеїв:
кард-рідер microSD
Діагональ екрану:
2,4"
Недоступний
Резистор: thin film; 243Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 243Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8

34,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

163,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 3,6А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 3,6А; 1,3Вт; SOT23

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 16А; 38Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 16А; 38Вт; DPAK

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 38Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 38Вт; DPAK

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 180А; 230Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 180А; 230Вт; D2PAK

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В