1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 94А; 1300Вт; TO264

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 94А; 1300Вт; TO264
Немає в наявності
Код товару: IXFK94N50P2
928,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK94N50P2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 228нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 55мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3кВт
Струм стока: 94А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Мікроперемикач SNAP ACTION; OFF-(ON); V; IP40; 100МОм; срібло
Мікроперемикач SNAP ACTION; OFF-(ON); V; IP40; 100МОм; срібло

276,86 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Електрична стійкість:
300000 цикли
Клас герметичності:
IP40
Матеріал контакту:
срібло
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ

72,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; ECQUA; 0,15мкФ; 275ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; ECQUA; 0,15мкФ; 275ВAC; THT

98,83 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт