Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK
Brand: TAIWAN SEMICONDUCTOR
SKU: TSM60NB1R4CH C5G
Price: 47.52 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: TSM60NB1R4CH C5G

47,52 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

TSM60NB1R4CH C5G

Виробник:

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

7,12нКл

Корпус:

IPAK

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

1,4Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

28,4Вт

Струм стока:

1,8А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
76нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
90нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220FP

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
45нКл

Корпус:
TO3PF

Монтаж:
THT