1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK
Немає в наявності
Код товару: TSM60NB1R4CH C5G
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM60NB1R4CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 7,12нКл
Корпус: IPAK
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 28,4Вт
Струм стока: 1,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; 35нс; SOD123F; Ufmax: 1,25В; Ir: 5мкА
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; 35нс; SOD123F; Ufmax: 1,25В; Ir: 5мкА

3,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V

60,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 18AWG; ETFE; синій; 600В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 18AWG; ETFE; синій; 600В; 30,5м

7804,75 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
SAE-AS22759/16
Недоступний
Кабель; High Speed,USB 2.0; USB C гніздо,USB C вилка; 1м; чорний
Кабель; High Speed,USB 2.0; USB C гніздо,USB C вилка; 1м; чорний

183,10 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
USB C вилка; USB C гніздо
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; 25нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 980мВ
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; 25нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 980мВ

9,50 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO220AA; SMP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TO220FP