Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; 63Вт; ITO220AB

Немає в наявності
Код товару: TSM60NE200CIT C0G
196,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM60NE200CIT C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: ITO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.64mm; GKS-112; CuBe; 5N; screw-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.64mm; GKS-112; CuBe; 5N; screw-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,64мм
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,7÷5,5ВDC; Uвих: 2,8ВDC; 0,08А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,7÷5,5ВDC; Uвих: 2,8ВDC; 0,08А

43,72 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,8В DC
Вихідний струм:
80мА
Недоступний
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,6В; SMD; DO213AA; 3,5мкА
Діод: зенера; 500мВт; 3,6В; SMD; DO213AA; 3,5мкА

1094,78 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3,6В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 66; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 66; SMT; 3A; 100V

354,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; THT; straight

25,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 24,4÷26,9В; 5,6А; односпрямована; ±5%; SOD123F
Діод: TVS; 0,2кВт; 24,4÷26,9В; 5,6А; односпрямована; ±5%; SOD123F

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
22В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 38А; Idm: 240А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 38А; Idm: 240А; 446Вт; TO247

549,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 90А; Idm: 200А; 100Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 90А; Idm: 200А; 100Вт; TO220AB

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 37Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 37Вт; TO220F

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 72А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 72А; 30Вт; TO220FP

183,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 50А; Idm: 200А; 103Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 50А; Idm: 200А; 103Вт

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7,3нКл
Корпус:
TO220FP