1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO262-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO262-3
Немає в наявності
Код товару: IPI60R165CPAKSA1
235,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPI60R165CPAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO262-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,165Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 192Вт
Струм стока: 21А
Технологія: CoolMOS™ CP
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід: для сервоприводів; TOPGEBER 512; гибридний; зелений; PUR
Провід: для сервоприводів; TOPGEBER 512; гибридний; зелений; PUR

392,80 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
гибридний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; SPDT; ON-(ON)

96,93 грн

Виводи:
для друку; прямі
Властивості перемикачів:
з важелем, що симулює ролик
Довжина важеля:
16мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

2,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,6пФ
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 0.3N; screw-in; 30mΩ
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 0.3N; screw-in; 30mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Провід: управління; chainflex® CF140.UL; 3G0,75мм2; сірий; тросик
Провід: управління; chainflex® CF140.UL; 3G0,75мм2; сірий; тросик

174,86 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Резистор: thick film; 6,8Ом; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,8Ом; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,55x0,55мм
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29,6А; Idm: 85А; 187,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29,6А; Idm: 85А; 187,5Вт

681,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
62,3нКл
Транзистор: N-JFET; польовий; 40мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 40мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 10мА

32,31 грн

Вид упаковки:
cтрічка
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
234нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB

114,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
65,3нКл