1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт
Немає в наявності
Код товару: SIHB33N60EF-GE3
369,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHB33N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 155нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 98мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Динамік; екранований,універсальний; 3Вт; 8Ом; 50,5x90,5x30мм
Динамік; екранований,універсальний; 3Вт; 8Ом; 50,5x90,5x30мм

595,54 грн

Вид динаміка:
екранований; універсальний
Зовнішні розміри:
50,5x90,5x30мм
Імпеданс:
8Ом
Максимальна потужність:
4Вт
Недоступний
Резистор: thick film; 162кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 162кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,7÷5,5ВDC; Uвих: 4,5ВDC; 0,08А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,7÷5,5ВDC; Uвих: 4,5ВDC; 0,08А

105,80 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
4,5В DC
Вихідний струм:
80мА
Недоступний
Кабель I/O; 2,75м; Властивості: пряма схема проводів
Кабель I/O; 2,75м; Властивості: пряма схема проводів

4739,62 грн

Довжина проводу:
2,75м
Комплектуючі систем управління:
кабель I/O
Конструкція кабелю/переходу:
40pin роз’єм FCN; роз'єми MIL x2 на 20 контактів
Особливості модулів:
пряма схема проводів
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK