Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO220-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO220-3
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPP60R160C6XKSA1
Price: 228.08 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IPP60R160C6XKSA1

228,08 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IPP60R160C6XKSA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Корпус:

PG-TO220-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

0,16Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

176Вт

Струм стока:

23,8А

Технологія:

CoolMOS™ C6

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
52нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
180нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
10,5нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
41нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
44,2нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
42нКл

Корпус:
TO220-3