Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 26А; Idm: 115А; 250Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB068N60EF-GE3
325,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHB068N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 77нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 68мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 26А
Струм стоку в імпульсі: 115А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 1,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; ПВХ; білий; 150В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; ПВХ; білий; 150В; 30,5м

1030,16 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO x2; синій; LED; IP66
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO x2; синій; LED; IP66

942,09 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Резистор: thick film; 374Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 374Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 4mm; GKS-747; CuBe; 1.5N; screw-in; 30mΩ
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 4mm; GKS-747; CuBe; 1.5N; screw-in; 30mΩ

619,62 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Наконечник; викрутка; 2,5мм; 510°C; до паяльної станції
Наконечник; викрутка; 2,5мм; 510°C; до паяльної станції

1877,22 грн

Застосування паяльного обладнання:
до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
2,5мм
Супутні товари:
CV-5210; CV-H1-AV; MX-5210; MX-5251; MX-5270; MX-H1-AV
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23