1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,5А; Idm: 8А; 6Вт; SOT223

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,5А; Idm: 8А; 6Вт; SOT223
Немає в наявності
Код товару: STN6N60M2
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STN6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,2нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6Вт
Струм стока: 5,5А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6DQF
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6DQF

2,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201

3,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3,9пФ
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; гніздовий; PIN: 6; MiniBridge; Iном: 8,7А; IDC
Роз’єм: провід-плата; гніздовий; PIN: 6; MiniBridge; Iном: 8,7А; IDC

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В

31,30 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Недоступний
Резистор: thick film; 732кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В
Резистор: thick film; 732кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А

148,89 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
28,8x12,5x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8