Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 54А; Idm: 216А; 690Вт

Немає в наявності
Код товару: APT6010B2FLLG
1708,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT6010B2FLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: TO247MAX
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 690Вт
Струм стока: 54А
Струм стоку в імпульсі: 216А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 71,1÷78,6В; 5,9А; односпрямована; SMB; ролик
Діод: TVS; 0,6кВт; 71,1÷78,6В; 5,9А; односпрямована; SMB; ролик

9,50 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
64В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Marker: cable-heat shrinkable; 50mm; white; Shrinking ratio: 2: 1
Marker: cable-heat shrinkable; 50mm; white; Shrinking ratio: 2: 1

184,36 грн

Діаметр після усадження:
12,7мм
Довжина:
50мм
Коефіцієнт усадження:
2:1
Колір:
білий
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V

283,83 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 294кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 294кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 01005

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: metal film; 835Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 835Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Діод: TVS; 1,5кВт; 7,6В; 134А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 7,6В; 134А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
6,5В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT