Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 62,5Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: TSM60NB380CF C0G
112,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM60NB380CF C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 7А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 5,49кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 5,49кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,69 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 10м; вилка; 300ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; 10м; вилка; 300ВDC

1599,09 грн

Довжина кабелю:
10м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Конструкція кабелю/переходу:
М12 "мама"
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,31 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Викрутка: універсальний-комплект; Torx®; DRALL+; L: 350мм; 8шт.
Викрутка: універсальний-комплект; Torx®; DRALL+; L: 350мм; 8шт.

3791,19 грн

Вид упаковки:
в поролоновій вставці
Використання інструментів:
слюсарний візок
Властивості викруток:
трикомпонентна рукоятка
Довжина:
0,35м
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; SMT; straight

63,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,6мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

0,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 9А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 9А; 54Вт

107,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 94Вт; TO220-3; 1,14÷1,4мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 94Вт; TO220-3; 1,14÷1,4мм

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 73А; Idm: 292А; TO220
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 73А; Idm: 292А; TO220

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220
Напруга сток-джерело:
100В
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 800В; 62А; 1560Вт; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 800В; 62А; 1560Вт; 300нс

1912,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
PLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 170мА; 1,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 170мА; 1,5Вт

2001,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
60В
Потужність розсіювання:
1,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; IPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; IPAK; ESD

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
IPAK