1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; Idm: 44А; 34Вт; QFN5x6

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; Idm: 44А; 34Вт; QFN5x6
Немає в наявності
Код товару: DI011N06PQK
31,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI011N06PQK
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 10мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 44А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 68,1Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68,1Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
ROCKER; SPST; Поз: 2; ON-OFF; 10A/250ВAC; 10A/30ВDC; червоний; IP67
ROCKER; SPST; Поз: 2; ON-OFF; 10A/250ВAC; 10A/30ВDC; червоний; IP67

394,07 грн

Виводи:
до лютування; конектори
Відповідність стандарту:
CSA; UL
Електрична стійкість:
25000 цикли
Кількість виводів:
2
Недоступний
IC: супервізор; монітор обнулення живлення (PoR); push-pull
IC: супервізор; монітор обнулення живлення (PoR); push-pull

387,73 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
push-pull
Вид об'єднаної схеми:
монітор обнулення живлення (PoR)
Властивості інтегральних мікросхем:
adjustable reset; LPC; watchdog
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RK73H; 75В

0,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 90; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 90; THT; 1.5A; 60V

1233,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
90
Недоступний
Резистор: thick film; 12мОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6BWF
Резистор: thick film; 12мОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6BWF

7,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 700мА; R: 180мОм; -20÷50%; DTS-10; 230ВAC
Реактор: дротяний; THT; 700мА; R: 180мОм; -20÷50%; DTS-10; 230ВAC

134,95 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Допуск:
-20...50%
Застосування реакторів:
гасіння вищих гармонік; імпульсні блоки живлення; фільтри EMI/RFI; як перешкодоподавляючі елементи
Індуктивність одинарної обмотки:
1,5мГн
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD