1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 17А; Idm: 158А; 14Вт; DFN5x6

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 17А; Idm: 158А; 14Вт; DFN5x6
Немає в наявності
Код товару: NTMFS024N06CT1G
11,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: NTMFS024N06CT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,7нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 14Вт
Струм стока: 17А
Струм стоку в імпульсі: 158А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 1,1кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1,1кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,1пФ
Конденсатор: керамічний; 0,0033мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; THT; 5,08мм
Конденсатор: керамічний; 0,0033мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; THT; 5,08мм

4,94 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
2,54мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 20÷22,1В; 51,4А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 20÷22,1В; 51,4А; двоспрямована; SMC

43,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
18В
Корпус:
SMC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,1пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±1%; HQ; 150В
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±1%; HQ; 150В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 1,54кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 1,54кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD