Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,8Вт; TO252/DPAK

Немає в наявності
Код товару: DMNH6012LK3-13
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMNH6012LK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Заряд затвора: 16,3нКл
Корпус: TO252/DPAK
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,8Вт
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: TVS; 400Вт; 86,7÷95,8В; 3,2А; двоспрямована; ±5%; DO214AC
Діод: TVS; 400Вт; 86,7÷95,8В; 3,2А; двоспрямована; ±5%; DO214AC

17,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
78В
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1500мкФ; 35ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1500мкФ; 35ВDC; ±20%

90,60 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
16мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 33; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 33; THT; straight

51,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 1.8mm; steel; Blade tip shape: head 11
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 1.8mm; steel; Blade tip shape: head 11

199,57 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
7мм
Діаметр наконечника:
1,8мм
Матеріал контакту:
сталь
Недоступний
Роз’єм: клапанний; гніздо; промислова; формат А; 18мм; штекерний
Роз’єм: клапанний; гніздо; промислова; формат А; 18мм; штекерний

185,63 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
B202000W2SA
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
DIN 43650; DIN EN 175301-803
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; FL; 4,4x4,4x1,9мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; FL; 4,4x4,4x1,9мм

16,28 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
4,4x4,4x1,9мм
Недоступний
Роз’єм: живлення DC; Тривалість мех: 50цикли
Роз’єм: живлення DC; Тривалість мех: 50цикли

454,89 грн

Застосування роз’ємів:
для систем зберігання енергії
Тип роз’єму:
живлення DC
Тривалість механічна:
50 цикли
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD