Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 360мА; 400мВт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: TQM138KCX RFG
15,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TQM138KCX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 1,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 0,36А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,5мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.64mm; GKS-100; CuBe; 1N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.64mm; GKS-100; CuBe; 1N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,64мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

2,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В

1,39 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,5нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,5нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм

3,38 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
3,5нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; SMT; 12,7x8,3x7,25мм; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; SMT; 12,7x8,3x7,25мм; OUT: 1

Використання:
IT
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
24В DC
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD