Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 16А; 1,65Вт; QFN2X2

Немає в наявності
Код товару: DI004N06PWK-AQ
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI004N06PWK-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: QFN2X2
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,65Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 835Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 835Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 1,69кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,69кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 22,6Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 22,6Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 604Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 604Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 100ВDC; SPST-NO; Iкотушки: 19мА
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 100ВDC; SPST-NO; Iкотушки: 19мА

915,49 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Висота:
49мм
Зовнішні розміри:
50,5x34,5x49мм
Конструкція:
тест-кнопка
Недоступний
Резистор: thick film; 56,2кОм; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56,2кОм; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C

0,16 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD