Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,3А; Idm: 58,3А; 2,1Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN6013LFGQ-7
21,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: DMN6013LFGQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 55,4нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 18мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,1Вт
Струм стока: 8,3А
Струм стоку в імпульсі: 58,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 180МГц; LQFP208; 1,7÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 180МГц; LQFP208; 1,7÷3,6ВDC

856,56 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Інтерфейс:
CAN x2; Ethernet; I2C x3; SDIO; SPI x6; UART x4; USB OTG
Кількість входів/виходів:
168
Корпус:
LQFP208
IC: цифровий; NOR; Ch: 1; IN: 2; TTL; SMD; SC88A; 2÷5,5ВDC; -55÷125°C
IC: цифровий; NOR; Ch: 1; IN: 2; TTL; SMD; SC88A; 2÷5,5ВDC; -55÷125°C

4,31 грн

Вид затвору:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
SC88A
Резистор: дротяний; 4,7Ом; цементний; 3Вт; 18,7x5,2x6,9мм
Резистор: дротяний; 4,7Ом; цементний; 3Вт; 18,7x5,2x6,9мм

43,27 грн

Вид резистора:
цементний
Довжина:
18,7мм
Опір:
4,7Ом
Потужність:
3Вт
Захисні рукавички; Розмір: 9; чорний; підвіска
Захисні рукавички; Розмір: 9; чорний; підвіска

321,85 грн

Вид упаковки:
підвіска
Відповідність стандарту:
CE; EN ISO 21420
Колір:
чорний
Матеріал:
бавовна; еластан; неопрен; ПВХ; поліестер
Резистор: metal film; 470Ом; 2Вт; ±5%; MFP; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: metal film; 470Ом; 2Вт; ±5%; MFP; -55÷155°C; 100ppm/°C

6,84 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
4мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD