1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; IPAK,TO251

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; IPAK,TO251
Немає в наявності
Код товару: SIHFU020-GE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHFU020-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: IPAK; TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А

148,89 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
28,8x12,5x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HV; 2кВ
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HV; 2кВ

1,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
3кВ
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА

198,30 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
11,5x6x10мм
Недоступний
Роз’єм: RJ45; PIN: 8; Cat 5e; екранований,EMI; позолочений; 8p8c
Роз’єм: RJ45; PIN: 8; Cat 5e; екранований,EMI; позолочений; 8p8c

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Категорія Ethernet:
Cat 5e
Кількість пін:
8
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 47мкФ; 25ВDC; Ø5x11мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 47мкФ; 25ВDC; Ø5x11мм

4,56 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 18,2Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 18,2Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 750кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 750кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CQ; 200В

1,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD