Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB22N65E-GE3
243,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHB22N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 110нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 432Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 432Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; 60В; прямий; IP68
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; 60В; прямий; IP68

1056,77 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,5м
Електричний монтаж:
проводи
Nails; Ø: 1.2mm; L: 30mm; galvanised steel; 4200pcs.
Nails; Ø: 1.2mm; L: 30mm; galvanised steel; 4200pcs.

998,48 грн

Діаметр:
1,2мм
Довжина:
30мм
Кількість в наборі/упаковці:
4200шт.
Матеріал:
оцинкована сталь
Резистор: thick film; 100Ом; 0603; 250мВт; ±5%; SR; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 0603; 250мВт; ±5%; SR; -55÷155°C

1,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 63; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 63; THT; straight

70,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
16,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 27В; 40А; односпрямована; SMC; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 27В; 40А; односпрямована; SMC; ролик,cтрічка

10,26 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
23,1В
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 20А; DO247; Ufmax: 1,65В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 20А; DO247; Ufmax: 1,65В

325,65 грн

Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
DO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8