Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AC

Немає в наявності
Код товару: SIHG61N65EF-GE3
723,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHG61N65EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 371нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 47мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 41А
Струм стоку в імпульсі: 199А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: M23; промислова
Роз’єм: M23; промислова

2050,81 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
EPIC® POWER LS1 D6 5+PE K S TWIST 8.5-11
Тип роз’єму:
M23
Недоступний
Резистор: thick film; 42,2Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 42,2Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

3,78 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 600мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 600мА

785,61 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
0,6А
Вхідна напруга:
36...72В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0402; 333мВт; ±5%; SG73P; 75В
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0402; 333мВт; ±5%; SG73P; 75В

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Роз’єм: UHF (PL-259); вилка; коаксіальний; прямий; затискання
Роз’єм: UHF (PL-259); вилка; коаксіальний; прямий; затискання

200,20 грн

Connector family:
коаксіальний
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал корпусу:
латунь
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 5,11Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 5,11Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

1,19 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; 500В; 3А; 27Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 500В; 3А; 27Вт; TO220FP

35,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт

1215,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
236нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

829,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
287нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 139А; Idm: 818А; 214Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 139А; Idm: 818А; 214Вт

302,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
133,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220AB