Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10,3А; Idm: 37А; 179Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHG21N80AEF-GE3
226,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHG21N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 71нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 10,3А
Струм стоку в імпульсі: 37А
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -5В; 0,1А
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -5В; 0,1А

10,77 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
-5В
Вихідний струм:
0,1А
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 2; CMOS
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 2; CMOS

34,85 грн

Вид виходу:
відкритий дренаж
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 174Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 174Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1210

13,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Кристал; 32,768кГц; 8пФ; ±20ppm; ±5ppm/рік; Ø2x6мм; -20÷70°C
Кристал; 32,768кГц; 8пФ; ±20ppm; ±5ppm/рік; Ø2x6мм; -20÷70°C

4,75 грн

Довготривала стабільність:
±5ppm/рік
Ємність:
8пФ
Робоча температура:
-20...70°C
Розміри:
Ø2x6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Стискувач; універсальний; чавун; Діапазон захвату: макс.300мм
Стискувач; універсальний; чавун; Діапазон захвату: макс.300мм

613,91 грн

Глибина:
80мм
Діапазон захоплення:
макс. 300мм
Матеріал:
чавун
Матеріал ручки:
дерево
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3

751,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30,6нКл
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт

421,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD