Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 14А; 400Вт; TO268

Немає в наявності
Код товару: IXFT14N80P
325,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXFT14N80P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 61нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 720мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 400Вт
Струм стока: 14А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; -55÷155°C

0,70 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; SO8; -40÷150°C
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; SO8; -40÷150°C

53,85 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
Silent mode
Інтерфейс:
CAN
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -3,3А; Idm: -15А; 1,8Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -3,3А; Idm: -15А; 1,8Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
M16; 1.5; IP68; brass; WADI-A-FKM; Cable gland: cable
M16; 1.5; IP68; brass; WADI-A-FKM; Cable gland: cable

538,52 грн

Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
5мм
Зовнішній діаметр проводу:
7...9мм
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 93; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 93; THT; straight

168,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
29мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thin film; 33Ом; 300мВт; SMA; -55÷155°C; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 33Ом; 300мВт; SMA; -55÷155°C; 50ppm/°C

6,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
33Ом
Потужність:
0,3Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 250ВDC; 250ВAC; Ifsm: 83А
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 250ВDC; 250ВAC; Ifsm: 83А

144,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Застосування конденсаторів:
фільтруючі
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK