Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 240А; Idm: 1110А; 214Вт

Немає в наявності
Код товару: FDB0250N807L
188,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: FDB0250N807L
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 143нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 214Вт
Струм стока: 240А
Струм стоку в імпульсі: 1110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Пінцет: прямий; 110мм; Леза: вузькі; Форма кінц.леза: гострі
Пінцет: прямий; 110мм; Леза: вузькі; Форма кінц.леза: гострі

1362,77 грн

Використання інструментів:
для точних робіт
Властивості пінцетів:
гладка поверхня утримування; немагнітні; універсальна
Довжина пінцета:
110мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; SMT; 3A; 250V

79,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 5; штекерний; промислова; 60В; прямий; 4А
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 5; штекерний; промислова; 60В; прямий; 4А

725,42 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
1м
Електричний монтаж:
проводи
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; PUR

5025,98 грн

Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; прямий; проводи
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; прямий; проводи

380,13 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина кабелю:
1,5м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 1.5A; 60V

80,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Тиристор: таблетковий; 8,5кВ; Ifмакс: 4,18кА; 2,66кА; Igt: 400мА
Тиристор: таблетковий; 8,5кВ; Ifмакс: 4,18кА; 2,66кА; Igt: 400мА

110887,74 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
8,5кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø150/Ø100мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263