1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт
Немає в наявності
Код товару: IXTP1R4N100P
173,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP1R4N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 17,8нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 11,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 1,4А
Струм стоку в імпульсі: 3А
Технологія: Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 750нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1мФ; 10ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1мФ; 10ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%

10,96 грн

Висота:
10,2мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

6,97 грн

Alias:
KGM05ACG1H101JH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

10,77 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
56пФ
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3